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  • 기사등록 2017-06-30 13:35:58
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도시바 메모리 코퍼레이션이 적층 셀 구조의 BiCS FLASH™ 3차원 플래시 메모리를 개발했다고 지난 28일 발표했다.

새로 개발된 BiCS FLASH™ 장치에는 최초로 하나의 셀에 4비트를 기록하는 QLC(quadruple-level cell) 기술이 적용됐다. 이는 셀당 3비트를 저장하는 TLC(triple-level cell) 기술을 뛰어 넘는 용량을 구현해 플래시 메모리 기술의 지평을 넓힌 기술이다.

멀티비트 셀(Multi-bit cell) 플래시 메모리는 각 메모리 셀에서 다수의 전자를 처리함으로써 데이터를 저장한다. QLC 기술을 구현하는 데는 일련의 기술적 난제가 존재했다. 동일한 전자 수에서 셀당 비트 수를 증가시키려면 TLC 기술의 정확성을 두 배로 높여야 했다.

도시바 메모리는 자사의 첨단 회로 설계 능력과 업계 선도적인 64 레이어 3차원 플래시 메모리 처리 기술을 바탕으로 QLC 3차원 플래시 메모리 개발에 성공했다.

시제품은 세계 최대급 다이 용량(768 기가비트/96 기가바이트)과 64레이어 3차원 플래시 메모리 처리 능력을 갖추고 있다. 회사 측은 6월 초 SSD 및 SSD 컨트롤러 벤더를 대상으로 평가와 개발 목적의 시제품 출하를 개시했다.

한편 QLC 3차원 플래시 메모리는 싱글 패키지에서 16다이 적층 구조의 1.5테라바이트(TB) 장치를 구현할 수 있다. 이는 업계 최대 용량[4]이다. 획기적 성능의 이 장치 샘플은 8월 7~10일 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열리는 ‘2017 플래시 메모리 서밋’(2017 Flash Memory Summit)에서 전시될 예정이다.

도시바 메모리는 이미 64레이어 256 기가비트(32기가바이트) 장치 양산을 시작했으며 양산을 확대하는 가운데 첨단 기술 개발을 통한 업계 리더십을 지속 주도할 계획이다.

신제품은 기업용 SSD, 개인용 SSD, 메모리 카드 등을 타깃으로 삼고 있다.

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