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흑린활용 고성능 新 반도체 소자 구현
기존 Si 반도체 比 고전자이동도
이영희 기초과학연구원(IBS) 나노구조물리연구단 단장 / 성균관대학교 물리학과, 에너지과학과 교수
그래핀과 이황화몰리브덴등 차세대 전자소자를 이끄는 2차원 소재에 흑린이 새롭게 떠올랐다.

기초과학연구원(IBS, 원장 김두철) 나노구조물리연구단(단장 이영희) 연구팀은 성균관대학교와 공동으로 흑린을 이용해 새로운 2차원 반도체 소재를 발굴하는데 성공했다고 지난 30일 밝혔다.

또한 흑린이 2차원 반도체 소재 중 전자이동도가 가장 큰 물질이라는 점도 최초로 밝혀냈다.

흑린은 인 원소로 구성된 2차원 물질로 겉보기에 검정색을 띈다. 그래핀처럼 2차원 층 구조를 이루고 있고 두께 역시 원자 한 개 층 수준이다.

흑린을 박막으로 변환해 반도체 소자에 적용하려는 연구들이 진행돼 왔지만 한계에 부딪혀왔다. 흑린은 공기와 반응하는 속도가 매우 빠르고 성질이 불안정해, 반도체 성질을 갖도록 제어하기 어렵기 때문이다.

연구진은 알루미늄을 접합금속으로 사용하여 흑린의 두께를 조절하고 물성을 제어하는데 성공했다. 이를 통해 흑린으로 고성능 N형(전자 제어) 반도체를 구현했다.

더 나아가 흑린의 박막 두께가 두꺼워지면 전자 제어(N형) 뿐만 아니라 정공 제어(P형)도 가능한 N-P 접합형 반도체를 구현할 수 있음을 증명했다. 접합 금속과 두께 제어를 통해 n형, p형 운반자를 갖는 반도체 박막으로 사용할 수 있음을 처음으로 증명한 것이다.

또 흑린 반도체는 기존 실리콘 반도체에 비해 전자이동도가 훨씬 빠르다는 점을 확인했다.

이영희 단장은 “실리콘처럼 아주 흔한 물질인 흑린을 새로운 2차원 나노물질 박막소재로 쓸 수 있음을 보여주었다”며 “앞으로 대면적 합성 기술 개발이 실용화의 관건이 될 것”이라고 밝혔다.

한편, 이번 연구는 세계 권위의 학술지 네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications, IF 11.470)3) 온라인에 7월 30일에 게재됐다.
알루미늄을 접합금속으로 사용하여 흑린 박막의 일함수를 제어할 경우 흑린에서 N형 운반자를 가질 수 있음을 증명했다. 두께가 두꺼워지면 에너지갭이 줄어들어 n형/p형 양쪽성 운반자를 모두 가진 반도체 특성을 보인다. 그래프를 통해 전자이동도 1000 cm2V-1s-1을 달성하여 기존의 실리콘 반도체의 성능을 능가함을 확인할 수 있다.

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강지혜 기자 (kjh@amenews.kr) [기자의 다른 기사보기]

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