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  • 기사등록 2016-12-02 10:22:30
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▲ 레이저가 조사된 탄화규소 표면의 전체적인 전자현미경 사진(a) 및 이로 의한 탄소와 실리콘으로의 상분리 현상을 촬영한 고해상도 전자현미경 사진(b)..

국내 연구진이 레이저 열처리 기법을 통한 저온가열 방식으로 그래핀을 합성하는데 성공했다. 제작시간이 짧고 저온에서 공정이 가능해 향후 그래핀 활용의 폭을 넓힐 수 있을 전망이다.

기초과학연구원(IBS, 원장 김두철)은 다차원 탄소재료 연구단(단장 로드니 루오프)의 이건재 연구위원(KAIST 신소재공학과 교수) 연구진과 KAIST(총장 강성모) 전기 및 전자공학부 최성율 교수팀이 레이저를 이용해 단결정 탄화규소(SiC) 기판 위 원하는 곳에 손쉽게 그래핀을 합성하는 새로운 기술을 개발했다고 지난 1일 밝혔다.

기존의 그래핀 합성 방식인 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)은 기판 위에 가스 형태의 원료물질을 투입해 고온 환경의 화학반응 통해 기판 위에 원료물질의 박막을 형성하는 공정이다.

상당시간이 소요될 뿐 아니라 그래핀과 기판에 결함이 생길 수 있는 문제가 있다. 이와 달리, 새로운 레이저 열처리법은 상온환경에서 단시간의 공정으로 그래핀을 합성할 수 있다.

연구진은 단결정 탄화규소 소재 표면에 수백 나노초(ns, 10억분의 1초) 수준의 극히 짧은 시간 동안 레이저를 쪼여 표면을 순간적으로 녹였다가 다시 응고시켰다.

그러자 탄화규소 표면이 두께 2.5나노미터의 탄소 초박막층과 그 아래 두께 5나노미터의 규소(Si, 실리콘)층으로 분리되는 상분리 현상이 나타났다. 여기에 레이저를 다시 쪼이자 안쪽 실리콘층은 증발하고, 탄소층은 그래핀이 됨을 확인했다.

특히 탄화규소와 같은 이종원소 화합물과 레이저의 상호작용에 대한 연구는 아주 짧은 시간에 일어나는 복잡한 상전이 현상으로 지금까지 그 규명이 쉽지 않았다. 그러나 연구진은 레이저에 의해 순간적으로 유도된 탄소?실리콘 초박막층을 고해상도 전자현미경으로 촬영, 실리콘과 같은 반도체 물질이 고체 상태일 때와 액체 상태일 때 보이는 광학 반사율이 다르다는 점에 착안해 탄화규소의 고체 상분리 현상을 성공적으로 규명해낼 수 있었다.

연구에 활용된 레이저 열처리기술은, CVD 공정과 달리 레이저로 소재 표면만 순간적으로 가열하기 때문에 열에 약한 플라스틱 기판 등에도 활용이 가능하다. 또한 기판 위 원하는 곳에만 선택적으로 그래핀을 합성할 수 있어, 향후 플렉시블 전자 분야 등으로 응용의 폭을 넓힐 수 있을 것으로 기대된다.

본 연구결과는 자연과학 및 응용과학 분야의 세계적 학술지인 '네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications)' 최신호에 게재됐다.

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