▲ 삼성전자 평택캠퍼스

삼성전자가 최첨단 시스템반도체 수요에 적기 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 파운드리 생산시설을 구축한다.

삼성전자는 이달 평택 파운드리 라인 공사에 착수했으며, 2021년 하반기부터 본격 가동할 계획이라고 21일 밝혔다.

이번 투자는 삼성전자가 작년 4월 발표한 ‘반도체 비전 2030’ 관련 후속 조치의 일환으로, 삼성전자는 시스템반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부 전략을 실행하고 있다.

EUV는 기존 불화아르곤(ArF)을 대체할 수 있는 차세대 광원으로, 파장의 길이가 불화아르곤(ArF)의 1/14 미만에 불과해 보다 세밀한 반도체 회로 패턴 구현과 복잡한 멀티 패터닝 공정 감소가 가능하다. 반도체의 고성능과 생산성을 동시에 확보할 수 있어 세계 선도 반도체 업체들은 경쟁적으로 EUV 공정을 도입하고 있다.

글로벌 파운드리 시장은 5G, HPC(High Performance Computing), AI, 네트워크 등 신규 응용처 확산에 따라 초미세 공정 중심으로 성장이 예상되고 있다.

삼성전자는 프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 전략이다. 이를 위해 2019년 화성 ‘S3 라인’에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후, 올해 2월 EUV 전용 화성 ‘V1 라인’을 가동하는 등 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대해 왔다. 여기에 2021년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 가파르게 증가할 전망이다.

또한 삼성전자는 생산성을 더욱 극대화한 5나노 제품을 올해 하반기에 화성에서 먼저 양산한 뒤, 평택 파운드리 라인에서도 주력 생산할 예정이다.

삼성전자 DS부문 파운드리사업부 정은승 사장은 “5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것”이라며, “전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것”이라고 밝혔다.