실리콘 카바이드(SiC) 전력반도체 선도기업 UnitedSiC(유나이티드실리콘카바이드)는 기존 제업계 최고의 750V, 6mΩ 제품을 출시했다고 15일 밝혔다.

이미 사용 가능한 18mΩ 및 60mΩ 제품들을 보완 및 확장해 출시된 새로운 750V 시리즈들은 설계자에게 더 많은 제품 옵션을 제공함과 동시에 넉넉한 설계 여유와 회로 견고성을 유지하면서 최적의 비용/효율 균형을 달성할 수 있도록 설계 유연성이 뛰어난 것이 특징이다.

6mΩ 신제품은 SiC MOSFET 경쟁사 대비 절반 이하의 RDS(on) 값에서 5μs의 견고한 단락 저항 시간(short-circuit withstand time rating)을 제공한다. 이번 출시된 제품은 정격 6, 9, 11, 23, 33 및 44mΩ의 750V SiC FET 시리즈 9가지 신제품 및 패키지 옵션이 포함돼 있다.

모든 제품은 TO-247-4L 패키지로 사용할 수 있으며, 18, 23, 33, 44 및 60mΩ 제품들의 경우 TO-247-3L로도 제공된다.

UnitedSiC의 4세대 SiC FET는 SiC JFET과 Si MOSFET 이 결합된 ‘캐스코드(cascode)’ 방식이다. 이러한 캐스코드 방식은 내장된ESD 보호 기능과 함께 쉽고 안정적이며 견고한 게이트 드라이브를 유지한 상태에서 고온에서 동작 시 고속 및 저손실 와이드밴드갭(wide band-gap) 기술의 완전한 장점들을 제공한다.

4세대 SiC FET는 다이의 고온 및 저온 상태 모두에서 현재 시장에 출시된 제품 중 가장 낮은 값을 보여준다. 성능지수 FoM RDS(on) x EOSS/QOSS의 경우 하드 스위칭 애플리케이션에서 매우 중요하며, UnitedSiC 제품의 경우 타 경쟁사 수치의 절반 수준이다.

또한, FoM RDS(on) x COSS(tr)의 경우 소프트 스위칭 애플리케이션에서 매우 중요하며, UnitedSiC의 750V제품은 650V정격의 경쟁사 제품과 비교하여 30% 정도 낮은 수치를 가지고 있다.

UnitedSiC의 4세대 기술에 통합된 또 다른 장점으로는 최신 웨이퍼 박형 기술과 은소결 다이 부착(silver-sinter die-attach)을 통해 다이에서 케이스로의 열저항을 획기적으로 줄인 것이다. 이러한 기능은 까다로운 애플리케이션에서 낮은 다이 온도 상승을 위한 최대 전력 출력을 가능하게 한다.

스위칭 효율과 온저항(on-resistance) 값이 향상된 최신 UnitedSiC SiC FET 제품은 전기 자동차의 트랙션 드라이브(traction drive), 온보드 및 오프보드 충전기 그리고 일반적인 신재생 에너지 인버터에서의 단방향 및 양방향 전력 변환, 역률 보정, 통신 변환기 및 AC/DC 또는 DC/DC 전력 변환의 모든 단계에 이용될 수 있다.

UnitedSiC의 사장 겸 CEO인 크리스 드리스(Chris Dries)는 “UnitedSiC의 4세대 SiC FET는 의심할 여지없이 경쟁하는 기술 분야에서 최고 성능의 제품이라고 자부하며, 와이드밴드갭 스위치 기술의 새로운 기준을 확립했다”고 밝혔다.