▲ 세계 반도체 팹 장비 투자액 추이.

반도체산업 호황에 힘입어 세계 팹 장비 투자액이 사상최대를 기록한 가운데 올해도 지속적인 투자가 이뤄질 전망이다.

SEMI에 따르면 2017년 전세계 팹 장비 투자액은 전년대비 41% 증가한 570억달러 달할 것으로 집계됐다고 밝혔다.

이는 높은 반도체 수요, 메모리 가격 강세, 치열한 경쟁 등에 따른 것으로 많은 기업들이 신규 팹 건설 및 팹 장비를 위해 이전에는 볼 수 없던 수준의 투자를 하고 있다.

올해 팹 장비 투자액은 전년대비 11% 증가한 630억달러로 예상됐다. 인텔, 마이크론, 도시바 등 글로벌 파운드리를 비롯한 많은 기업이 2017년과 2018년에 팹 투자를 확대하고 있지만 특히 삼성전자와 SK하이닉스가 주도할 전망이다.

SEMI에 따르면 삼성전자는 팹 장비 투자액을 2017년 80억 달러에서 180억달러로 128%나 증대할 것으로 예상되고 있다. SK하이닉스는 2017년 전년대비 70% 증가한 역대 최고수준인 55억달러를 투자했다. 삼성과 SK 하이닉스는 대부분의 투자를 한국에서 실시하지만, 일부는 중국과 미국에 투자할 전망이다.

올해 중국의 성장세도 주목할 부분이다. 2018년 중국은 2017년에 건설된 팹에 장비를 도입하기 시작할 것으로 예상된다. 예전에는 비(非) 중국계 기업이 중국내 팹 투자의 대부분을 차지했으나 올해는 사상 처음으로 중국계 디바이스 제조업체가 비 중국계 업체와 팹 장비에 거의 비슷한 금액을 투자하면서 비등한 수준에 접근할 것이다.

2018년 중국계 기업은 58억 달러를 투자할 전망이며, 비 중국계 업체는 67억 달러를 투자할 것으로 보인다. 양쯔강메모리테크놀로지(Yangtze Memory Technology), 푸젠진화반도체(Fujian Jin Hua), 후아리 마이크로일렉트로닉스(Hua Li) 허페이창신 메모리(Hefei Chang Xin Memory) 등 다수의 신생 업체들이 이 지역에서 큰 규모의 투자를 하고 있다.

이밖에도 신규 팹 건설 관련 투자액에서도 중국이 2017년에는 60억, 2018년에는 66억달러를 기록하면서 관련 시장을 주도할 전망이다. 건설을 위해 한해 60억달러 이상 투자한 지역은 이번이 처음이다.