▲ 2Gb DDR3L-RS(좌측) 및 4Gb DDR3L-RS(좌측) 단품 사진.

SK하이닉스(대표 권오철)는 12일 대기시 전력소모를 획기적으로 줄인 모바일 기기용 20나노급 DDR3L-RS(Reduced Standby) D램을 출시한다고 밝혔다.

이 제품은 D램 패키지를 바로 시스템에 부착할 수 있는 온보드(On-board)용 2기가비트(Gb), 4Gb, 8Gb 단품과 2기가바이트(GB), 4GB, 8GB 노트북용 모듈(SO-DIMM) 형태로 출시된다. 온보드용 단품을 통해 얇은 두께의 기기에서도 고객이 원하는 다양한 용량의 메모리를 구현할 수 있으며, 노트북용 모듈도 함께 출시해 각종 모바일 제품에 적합한 토탈 메모리솔루션을 제공하게 된다.

DDR3 D램은 초기에 동작전압 1.5V 제품 위주였으나, 최근에는 동작전압을 1.35V로 낮춰 전력소모를 10%가량 줄인 DDR3L 제품이 시장의 주력으로 자리잡고 있다.

이번에 출시하는 20나노급 DDR3L-RS 제품은 시장의 주력인 DDR3L 제품의 성능을 유지하면서 20나노급 기술 적용에 따른 전류 감소 D램의 온도에 따라 동작시 대기전류를 효율적으로 제어하는 기술을 통해 기존 30나노급 DDR3L 제품대비 70% 가량 전력소모를 줄인 것이 특징이다.

이 제품은 휴대성과 저전력 특성이 강조되는 울트라북 및 태블릿PC 시장에서 최적의 메모리솔루션으로 성장하게 될 것으로 기대되고 있다. 특히, 모바일 D램인 LPDDR3 대비 가격이 저렴하면서 기존 PC용 제품인 DDR3L보다 대기전력이 획기적으로 줄어들어 양쪽의 장점을 혼합한 새로운 메모리 영역을 창출할 수 있게 됐다.

SK하이닉스는 이러한 DDR3와 LPDDR3의 중간단계 제품을 통해 중저가 울트라북 및 태블릿PC와 같은 신규시장을 집중 공략하고, 이를 통해 새로운 시장 창출을 통한 점유율 확대 등 모바일 시장을 선도한다는 계획이다.

한편, SK하이닉스는 9월 11일부터 13일까지 미국 샌프란시스코에서 열리는 인텔 개발자 포럼(IDF, Intel Developer Forum)에서 모바일 기기의 AOAC(Always On Always Connected) 환경에 적합한 메모리 솔루션에 대한 발표를 할 예정이다. 이 발표에서 저전력 소모와 빠른 데이터 처리속도를 가진 DDR3L-RS에 대한 부분도 강조될 전망이다.