내년 반도체 총 팹 장비 투자액이 기업들의 신규 메모리 생산개시로 인해 역대 최고를 기록할 것이라는 전망이 나왔다.

국제반도체장비재료협회(SEMI)가 최근 발행한 세계 팹 전망 보고서에 따르면, 내년 팹 장비 확장, 기술 노드 업그레이드, 웨이퍼 크기 확대 및 변경에 필요한 총 팹 장비 투자액은 전년 대비 16.7% 증가한 427억달러를 기록할 것으로 집계됐다.

이번 조사에서는 올해 혹은 가까운 장래에 생산을 시작하는 76개 시설을 비롯한 약 1,150여 설비(300개 광/LED 설비 포함)를 대상으로 했으며 테스트 어셈블리 및 패키징 장비는 제외됐다.

반도체 제조 파운드리 업체들은 올해 총 100억달러 이상을 투자하며 팹 장비 투자를 주도했으며 내년에도 약 100억 달러를 추가로 장비에 투자할 것으로 전망됐다.

올해 팹 건설을 주도한 것이 미주지역이었다면 내년에는 한국, 중국, 대만지역에서 대부분 진행될 것으로 예상됐다.

올해 인텔, 글로벌파운드리스, 삼성, 마이크론은 미주지역의 팹 건설 프로젝트에 2010~2012년까지 60억달러 이상을 투자할 계획이다. 그러나 신규 팹 프로젝트 계획이 없어 올해 30억달러에 달하던 건설 투자액은 내년에 5억달러 이하로 하락할 전망이다.

내년에 삼성은 기존의 4개의 메모리 라인을 시스템반도체로의 공격적인 전환을 시작할 전망이다. 플래시 메모리에서 시스템 LSI로의 전환은 쉽지 않아 메모리부문 시설용량의 축소가 예상되지만, 이를 보완하기 위해 삼성은 중국 시안(西安)에 70억달러에 달하는 대규모 투자를 통해 신규 메모리 팹 건설에 나섰다.

이밖에 최첨단 플래시 메모리 생산을 위해 SMIC가 베이징에 신규 팹을, TSMC와 UMC가 대만 팹 프로젝트에 투자할 예정이다.