페어차일드가 배터리 충전과 Power multiplexing 응용제품에 중요한 효율성과 열적 특성을 만족하는 P-channel PowerTrench® MOSFET와 쇼트키 다이오드를 하나의 패키지로 내장된 솔루션을 개발했다.

페어차일드 코리아(대표이사 송창섭 www.fairchildsemi.com/kr)가 출시한 MicroFET는 업계를 주도하는 낮은 단면의 패키지를 제공함으로써 설계자가 완성도 높은 설계를 할 수 있도록 했다.

FDFMA2P859는 업계표준의 0.8mm MicroFET 패키지를 넘어 30% 높이를 낮춤과 동시에 일반적인 MOSFET과 비교해 뛰어난 전력효율과 낮은 전도소실 특성을 보인다. 0.55mm 의 높이의 이 제품은 최신 휴대용 또는 착용가능한 핸드폰, MP3 그리고 의료장비와 같은 낮은 단면의 디자인에 이상적이다.

FDFMA2P859T는 물리적 크기에 비해 뛰어난 열적 특성과 쇼트키 다이오드가 Vr=10V 에서 1µA 의 매우 낮은 역 누설전류(Ir)를 보장하고 있다. 이는 고객들의 디자인 요구사항이였으며 특히, 효율성, 공간성, 열적특성에 대한 요구사항을 맞추기 위해 디자인된 페어차일드의 광범위한 MOSFET 제품군이다.