▲ 벨기에 브뤼셀에서 열린 바스프 투자유치식에서 (左부터) 신우성 한국바스프 대표이사, 윤상직 장관, 피터슈마허(Peter Schuhmacher), 한기원 Kotra IK 대표가 LOI 체결 후 기념촬영에 응하고 있다..

세계적인 화학기업 바스프(BASF)가 수원 성균관대학교 자연과학캠퍼스에 새로운 아태지역 전자소재 R&D 센터를 설립한다.

바스프는 7일 벨기에 브뤼셀에서 열린 2013 유럽 투자유치식에서 윤상직 산업통상자원부 장관이 참석한 가운데 이번 R&D 센터 설립에 관한 협력 의향서(LOI)를 체결했다.

성균관대와 파트너십을 맺고 수원 성균관대 자연과학 캠퍼스에 설립하는 바스프의 전자소재 R&D 센터는 바스프의 아시아·태평양 지역 전자소재 연구의 통합 허브 역할을 담당할 예정이다.

2014년 개소를 목표로 하고 있는 이곳 R&D 센터에서는 약 40 여명의 기술 및 연구 인력들이 스페셜티 및 공정 화학제품, 무기소재뿐 아니라 반도체, 디스플레이, 유기 전자 소재, LED, 태양광용 고성능 어플리케이션을 위한 포뮬레이션 연구 등이 진행된다.

바스프 그룹 전자소재 사업부문의 로타 라우피클러(Dr. Lothar Laupichler) 수석 부사장은 “성균관대에 설립될 이번 아태지역 전자소재 R&D 센터를 통해 바스프가 가지고 있는 전자소재 분야의 세계적인 전문성과 우수 연구 인력들의 최신 연구를 접목할 수 있게 됐다”고 밝혔다.