▲ 김상철 전기연 전력반도체센터 책임연구원.

한국전기연구원(원장 김호용)이 세계에서 3번째로 전력반도체 상용화 기술개발에 성공했다.

전기연구원은 최근 1200V급 SiC(탄화규소) 전력소자 MOSFET 2종을 개발하는데 성공했다고 23일 밝혔다.

1999년부터 SiC 전력반도체를 개발하며 국내 기술을 선도하고 있는 전기연은 지난해 6월부터 메이플세미컨덕터(대표 정은식)와 SiC 전력반도체 개발을 진행했다.

그결과 전기연은 보유하고 있는 SiC 전력반도체 고온·고에너지 이온주입 공정기술, 낮은 접촉저항형성 공정기술, 고품질 게이트산화막 형성을 위한 패시베이션(passivation) 공정기술 등을 적용해 모든 핵심공정을 국산화했다.

SiC 전력반도체는 기존의 실리콘 전력반도체보다 효율이 높고 고온에서도 안정적으로 동작해 그린카(xEV)와 신재생에너지용 인버터에 적용 가능한 차세대 전력반도체다. 현재 170억달러 규모의 세계 전력반도체 시장에서 SiC 전력반도체 시장은 8000만달러 수준이지만, 양산업체 증가와 그린카(xEV) 등의 수요에 힘입어 2018년에는 20억달러까지 성장할 것으로 전망되는 유망 아이템이다.

그러나 세계 선진업체들도 최근에야 기술개발해 상품화했을 정도로 설계 및 공정이 매우 어렵다.

메이플세미컨덕터(주)는 이번에 개발한 MOSFET을 2015년에 본격적으로 양산을 시작할 계획이다. 내수시장은 물론 해외시장까지 판로를 개척하여 2015년 80억원, 2016년 200억원의 신규매출을 기대하고 있다.

김상철 전기연 전력반도체센터 책임연구원은 “이번 개발은 선진국이 기술이전을 꺼리는 전략 분야에서 순수 국내기술로 미국, 일본에 이은 세계 3번째 상용화 기술개발이며, SiC 전력반도체 분야에서 세계적인 기술수준에 도달하였음을 보여 준다”고 말했다.

▲ sic mosfet 칩 및 완성 소자.