차세대 반도체 회로의 미세 패턴 제작기술이 기존 액침노광에서 극자외선 노광기술로 세대교체가 이뤄지고 있다.

특허청(청장 김영민)에 따르면, 2006년부터 2013년까지 국내에 출원된 극자외선노광 관련 특허출원은 모두 342건에 달했다. 특히 2008년부터는 극자외선 관련 출원 건수가 액침노광 관련 출원 건수를 추월하는 추세를 보였다.

극자외선노광 최다 출원인은 SK하이닉스로 조사 기간 중 86건을 출원하였고, 뒤를 이어 ASML 35건, 아사이 유리 31건, 칼짜이스 25건, 삼성전자 21건인 것으로 나타났다.

광원, 광학계, 감광성재료 분야에서는 독일, 네덜란드, 일본 기업들이 우위를 점하고 있는 반면, 반사형 마스크, 패턴공정 분야에는 SK하이닉스와 삼성전자가 합해 60% 이상의 절대 우의를 점하고 있으며, 검사/유지보수 분야에 있어서도 30% 이상을 점유하고 있는 것으로 나타났다.

반도체회로 노광기술은 감광재료에 빛을 조사하여 미세회로를 그려내는 기술로, 1개의 웨이퍼당 얼마나 많은 수의 칩을 찍어낼 수 있느냐에 따라 반도체 칩의 가격과 성능이 결정된다.

최근 모바일 기기의 폭발적인 성장세와 함께, 3D 적층기술이 적용된 저전력 고성능인 반도체칩의 수요에 따라, 10 나노대의 미세 패턴닝이 가능한 양산 기술로 극자외선(EUV)(파장 13.5nm)을 광원으로 이용하는 극자외선노광 기술이 차세대 노광 기술로서 대두되고 있다.

장현숙 특허청 과장은 “최근 극자외선노광 관련 출원이 패턴공정, 반사형 마스크, 감광성 재료 등의 상용화 공정에 집중됨에 따라 액침노광에서 극자외선노광으로의 세대교체가 시작되고 있다”며 “향후 극자외선을 이용한 반도체 제조 공정기술에 있어서는 우리 반도체 기업들이 주도권을 잡을 것”이라고 전망했다.