▲ TI의 GaN FET 전력단 프로토타입 'LMG5200'.

GaN의 진정한 이점을 빠르게 실현할 수 있는 완전 통합 GaN FET 전력단 프로토타입이 선을 보였다.

TI 코리아 (대표이사 켄트 전)은 업계 최초로 80V, 10A 내장형 질화갈륨(GaN)전계효과 트랜지스터 (FET) 전력단 프로토타입을 출시했다고 밝혔다고 지난 17일 밝혔다.

GaN 전력단의 프로토타입 샘플은 현재 TI store에서 구입 가능하다. LMG5200은 개당 50달러로 최대 10개까지 구매 할 수 있으며, LMG5200 EVM은 299달러에 판매되고 있다.

새로운 LMG5200 GaN FET 전력단은 설계 공간이 제한적인 고주파 산업 및 통신 애플리케이션에 한층 증가된 전력 밀도와 효율을 제공하는 차세대 GaN 전력 변환 솔루션 채택을 가속화하는데 기여할 것으로 보인다.

LMG5200의 특징은 GaN전력단으로 실리콘 기반 설계보다 25% 적은 전력 손실로 단일 단변환 구현이 가능하며 QNF 패키지로 언더필이 필요 없어 고전압문제를 해결하고 보드 제조의 용이성을 향상 시켰으며 비용은 절감 됐다.

스티브 램부스 (Steve Lambouses) TI의 고전압 전원 솔루션 사업부 부사장 스티브 램부스는 “GaN 기반 전원 설계의 가장 큰 걸림돌 중 하나가 GaN FET 구동과 그와 관련된 불확실성, 그에 따른 패키징 및 설계 레이아웃으로 인한 기생성분이었다”고 그간의 어려움을 토오했다.

이어 “TI는 설계가 용이한 첨단 패키징으로 최적화된 통합 모듈, 드라이버, 고주파수 컨트롤러의 완벽하고 신뢰할 수 있는 전력 변환 에코 시스템을 제공함으로써 전원 설계자가 GaN 기술의 잠재성을 실현할 수 있도록 했다”고 전했다.