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  • 기사등록 2015-06-15 10:54:07
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연재기획 순서
1. 탄소나노튜브
2. 은나노와이어
3. 메탈 메쉬
4. 3D 프린트
5. Li 이차전지
6. 연료전지
7. 태양전지
8. 탄소섬유
9. 형상기억합금
10. 초전도재료

최내윤 변리사 나눔국제특허사무소
E-mail : master@ipnanum.com
Tel(代) : 070-4947-7887




글로벌 CNT 출원 특허, 韓·美·日 큰차이 없어


국내 TOP3, 삼성전자, 삼성SDI, 韓과학기술원





특허는 R&D의 결과물인 동시에 미래의 R&D 방향을 예단할 수 있는 지표 역할을 수행하기도 한다. 본 기고에서는 탄소나노튜브 기술의 특허 동향1) 을 살펴봄으로써, INSIGHT를 제공하고자 한다.

먼저, 국가별 및 연도별 특허 출원 동향을 살펴보았다. 전체 특허 검색 건수는 19,452건에 이르며, 국가별로는 미국의 특허점유가 38%로 가장 많은 것으로 나타나며, 일본의 특허점유가 37%, 한국의 특허점유가 25% 순서로 나타났다. 즉 국가 별로는 미국, 일본 및 한국의 특허점유가 큰 차이는 없는 것으로 보인다.

연도별 출원동향을 살펴보면, 2000년 이후 2009년까지는 특허출원수가 증가하고 2009년 이후에는 다소 감소하는 경향을 나타낸다. 이는, 2009년 미국의 경제위기에 따른 투자 심리 위축에 따른 것으로 해석된다. 참고로, 미공개 구간이라 함은 특허법 제도 상 출원일 후 1년 6개월 이후에 공개되기 때문에 검색이 되지 않는 구간을 의미한다.

▲ 국가별 및 연도별 특허 출원 동향.

다음으로, 한국에서의 다수 출원인을 살펴보았다.

삼성전자, 삼성에스디아이, 한국과학기술원의 특허 출원이 활발한 것으로 나타났다. 특히, 기업 중에서는 삼성전자, 삼성에스디아이, 엘지전자, 금호석유화학주식화사의 출원 점유가 높게 나타나며, 공공기관 중에서는 한국과학기술원, 고려대학교, 성균관대학교, 한국전기연구원의 출원 점유가 높은 것으로 나타났다.

▲ 다수 출원인 (KIPO).

계속하여, 국제특허분류 코드(IPC)를 기준으로 기술 분류 별2) 특허 출원 현황을 살펴보았다.

나노구조(B82B) 기술에 관한 특허 출원이 가장 많고, 그 다음으로 고분자 화합물의 조성물(C01B)에 관한 특허 출원이 많으며, 그 뒤를 이어 H 코드에 해당하는 전자 소자에 관한 특허출원이 많음을 알 수 있다. 즉 탄소나노튜브 제조에 관련된 특허 점유가 높게 나타나며 탄소나노튜브를 이용한 어플리케이션 특허 점유가 그 뒤를 이어가는 것으로 해석된다.

▲ 기술 분류 별 특허 출원 현황.

이어서, 다수 출원 발명자 동향을 살펴보았다.

다수 출원 발명자란 탄소나노튜브 기술 분야에 있어서 핵심 발명자가 누군인지를 판단하기 위한 기준이다. 다만, 동명이인이 포함될 수 있다. 동명이인이 있는 경우 출원인 명을 ‘~등‘으로 기재했다. 검토결과, 다수 출원 발명자는 기업에 대다수 포진되어 있으며 공공기관에는 고려대학교 이철진 교수님이 포함되어 있었다.

▲ 다수 출원 발명자 동향.

이상, 간단하게 탄소나노튜브 기술 분야에 있어서의 특허 동향을 살펴 보았다.

연도별 특허 출원 동향 면에서는 2009년을 점정으로 다소 감소할 것으로 파악되며, 선두 출원인 및 발명자를 중심으로 특허 출원은 지속될 것으로 예상된다. 또한 다수 출원인에 민간 기업 및 공공기관이 고르게 분포하고 있으므로 민간 기업과 공공기관 간의 연구 협력이 기대되는 기술 분야이기도 하다.

다음 기고에서는 은나노 와이어 특허 동향에 대하여 다루어 보도록 하겠다.

■ 주석

1) 특허 검색 엔진은 Wisdomain을 사용하였고, 검색기간은 2000년 이후로 하였으며, 검색식은 ab=((((탄소 OR 카본) w/2 나노 ) or (carbon w/2 nano*)) or cnt)을 사용하였으며 검색 국가는 한국, 미국, 일본으로 설정하였습니다.

2)B82B은 개별단위로서의 분자, 원자들의 제한된 집합 또는 개별 원자, 분자의 조작에 의해 형성된 나노구조, C01B은 고분자 화합물의 조성물, H01L은 반도체 장치, H01J은 전자관 또는 방전램프, C08K은 무기 또는 비고분자 유기 물질의 배합 성분으로서의 사용, B82Y은 나노 구조의 특별한 사용이나 적용; 나노 구조의 측정이나 분석; 나노 구조의 제조나 처리, C08L은 고분자 화합물의 조성물, H01M은 화학적 에너지 전기적 에너지 직접 변환하기 위한 방법 또는 수단, H01B은 케이블; 도체; 절연체; 도전성, 절연성 또는 유전성 특성에 대한 재료의 선택, B01J은 화학적 또는 물리적 방법, 예. 촉매, 콜로이드 화학; 그들의 관련 장치를 의미합니다.

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