반도체 전문기업 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 새로운 CoolMOS™ C7 시리즈 SJ(superjunction) MOSFET(금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터) 제품군을 출시했다고 18일 밝혔다.

이 600V 시리즈는 기존 CoolMOS™ CP 대비 턴-오프 손실을 50% 줄였으며 PFC, TTF 및 기타 하드 스위칭 토폴로지에서 GaN 수준의 성능을 제공한다.

또한 CoolMOS C7은 업계 최초로 mm2당 1Ω의 단위 면적당 온 저항을 달성해 높은 효율 및 낮은 BoM비용과 총소유비용(TCO)을 요구하는 서버, 통신, 태양광 및 산업용 등 고전력 SMPS 애플리케이션에 적합하다.

하이퍼스케일 데이터 센터, 통신 기지국 등 효율과 TCO가 중요한 애플리케이션은 CoolMOS C7이 제공하는 스위칭 손실 감소로부터 이득을 얻을 수 있다. PFC에서 0.3% ~ 0.7%, LLC 토폴로지에서 0.1%의 효율 이득을 달성할 수 있으므로 총소유비용을 크게 낮춰준다. 예를 들어 2.5kW 서버 PSU에서 C7 600V MOSFET을 사용할 경우 PSU 에너지 손실에 대해 약 10%의 에너지 비용을 절감할 수 있다.

엔터프라이즈 서버 등 BoM 및 비용이 중요한 설계에서 CoolMOS C7 600V 디바이스는 마그네틱 부품 크기를 최소화할 수 있도록해 전체 비용을 절감시킬 수 있다. 스위칭 주파수를 65kHz에서 130kHz로 두 배로 높이면 마그네틱 부품 비용을 30%까지 줄일 수 있는 것으로 나타났다.

CoolMOS C7 600V 제품군은 2곳의 300mm 제조시설에서 생산되며 제품군은 다양한 RDS(ON) 값과 패키지로 제공된다.

인피니언의 AC/DC 사업부를 총괄하는 피터 바버(Peter Wawer) 부사장은 “새로운 CoolMOS C7 600V 제품군은 2016년 초 출시 예정인 GaN 디바이스로 가는 중요한 징검다리”라며 “인피니언의 GaN 기술은 주파수 범위를 더욱 증가시키고 새로운 토폴로지를 구현하게 될 것”이라고 말했다.