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  • 기사등록 2015-07-02 17:04:23
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1. 탄소나노튜브
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최내윤 변리사 나눔국제특허사무소
E-mail : master@ipnanum.com
Tel(代) : 070-4947-7887




출원 top3…美(53%)·日(31%)·韓(16%)


LG이노텍 특허출원 52건…국내 1위


특허는 R&D의 결과물인 동시에 미래의 R&D 방향을 예단할 수 있는 지표 역할을 수행하기도 한다. 본 기고에서는 나노 신소재로서 각광 받고 있는 은나노와이어 기술의 특허 동향1)을 살펴봄으로써, INSIGHT를 제공하고자 한다.

먼저, 국가별 및 연도별 특허 출원 동향을 살표 보았다. 전체 특허 검색 건수는 2,757건에 이르며, 국가별로는 미국의 특허점유가 53%로 가장 많은 것으로 나타나며, 일본의 특허점유가 31%, 한국의 특허점유가 16% 순서로 나타났다.

연도별 출원동향을 살펴보면, 2000년 이후 전반적으로 특허가 증가하고 있는 것으로 나타난다. 2010년 출원은 다소 줄어들었으나, 이는 미국의 경제위기에 따른 투자 심리 위축에 따른 것으로 해석되며 다른 기술 분야 대비 감소 폭은 크지 않은 것으로 보인다.

또한 국가별 연도별 출원동향에서는 미국의 경우 2000년대에 걸쳐서 일정 수준의 특허 출원을 지속해 온 것으로 나타나며 한국과 일본의 경우 최근 들어 특허 출원 수가 크게 증가하는 양상을 나타내고 있다.

참고로, 미공개 구간이라 함은 특허법 제도 상 출원일 후 1년 6개월 이후에 공개되기 때문에 검색이 되지 않는 구간을 의미한다.

다음으로, 한국에서의 다수 출원인을 살펴보았다. 엘지이노텍, 삼성디스플레이, 후지필름, 캄브리오스의 특허 출원이 활발한 것으로 나타났다. 기업이 주도적으로 특허 출원을 하는 것으로 파악된다. 공공기관 중에서는 포항공대, 한국과학기술원, 연세대학교의 출원 점유가 높은 것으로 나타난다.

계속하여, 국제특허분류 코드(IPC)를 기준으로 기술 분류 별2)특허 출원 현황을 살펴보았다. 형태를 특징으로 하는 도전물체(H01B-005) 기술에 관한 특허 출원이 가장 많으며, 그 다음으로 컴퓨터로 처리할 수 있는 형식으로 전송된 데이터를 변환하는 입력기구(G06F-003), 그 뒤를 이어 H 코드에 해당하는 전자 소자에 관한 특허출원이 많음을 알 수 있다.

이어서, 다수 출원 발명자 동향을 살펴보았다. 다수 출원 발명자란 은나노와이어 기술 분야에 있어서 핵심 발명자가 누군인지를 판단하기 위한 기준이다. 검토결과, 다수 출원 발명자는 기업 중에서도 엘지이노텍 및 엠케이전자에 집중되어 있었다.

또한 다수 출원인 중에서 삼성디스플레이의 경우 전병규 7건, 후지필림의 경우 마츠나미유키 7건, 나오이겐지 7건, 포항공대의 경우 이태우 7건, 캄브리오스의 경우 체니츠카플로리안 7건, 스페이드마이클에이 7건으로 다수 출원한 것으로 나타났다.

이상, 간단하게 은나노와이어 기술 분야에 있어서의 특허 동향을 살펴 보았다. 연도별 특허 출원 동향 면에서는 지속적으로 증가하고 있는 것으로 파악되며, 다수 발명자를 보유한 출원인을 중심으로 특허 출원은 지속될 것으로 예상된다. 다음 기고에서는 은나노 와이어와 투명 전극 분야에서 기술 경쟁을 다투고 있는 메탈 메쉬 기술 특허 동향에 대하여 다루어 보도록 하겠다.

■ 주석

1) 특허 검색 엔진은 Wisdomain을 사용하였고, 검색기간은 2000년 이후로 하였으며, 검색식은 [((("은 나노" or 은나노 or 실버나노 or "실버 나노") n/5 (와이어)) or (((메탈나노 or "메탈 나노" or 금속나노 or "금속 나노") n/5 (와이어)) and desc=(실버 or ag or silver)) or 은나노와이어 or 실버나노와이어) or ((metal n/5 wire) and ((silver or ag) n/5 wire)) or ((ag or silver) n/5 (wire)) and an>2000.01.01.]을 사용하였으며 검색 국가는 한국, 미국, 일본으로 설정하였습니다.

2) H01B-005는 형태를 특징으로 하는 비절연도체 또는 도전물체, G06F-003는 컴퓨터로 처리할 수 있는 형식으로 전송된 데이터를 변환하는 입력기구, H01L-021는 반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비, H01L-023는 반도체 또는 다른 고체장치의 세부, H01B-013는 도체 또는 케이블을 제조하기 위하여 특히 사용하는 장치 또는 방법, H01B-001는 도전재료를 특징으로 하는 도체 또는 도전물체; 도체로서의 재료의 선택, H05K-001는 인쇄회로, H05K-003는 인쇄회로를 제조하기 위한 장치 또는 방법, H01L-051는 능동 부분으로서 유기 재료를 이용하거나 능동 부분으로서 유기 재료와 다른 재료와의 조합을 이용하는 고체 장치, H05B-033는 전계 발광 광원, H01L-031는 적외선 복사, 가시광, 단파장의 전자기파, 또는 입자 복사에 감응하는 반도체 장치, G02F-001는 독립된 광원으로부터 도달한 광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅 또는 변조 비선형 광학, H01L-029는 정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것, H01L-033는 적외선광[IR] 또는 자외선[UV]광을 방출하는 LEDs 또는 SLDs를 포함하는 발광다이오드 또는 초발광다이오드 기술을 의미합니다.

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