삼성전자가 세계 최초로 4Gb DDR3 D램을 양산, 대용량 D램 시장 선점에 나선다.

삼성전자는 지난해 1월 50나노급 공정을 이용해 세계 최초로 개발한 4Gb DDR3 D램을 40나노급 최신 공정을 이용해 이달부터 양산한다고 지난 24일 밝혔다.

회사는 이로써 지난 2005년 1Gb, 2007년 2Gb에 이어, 이번에 4Gb DDR3 D램까지 세계 최초 양산기록을 거듭하며 대용량 D램의 시장의 강세를 이어가게 됐다.

이번에 양산에 들어간 4Gb DDR3 D램은 2Gb DDR3 D램보다 성능을 강화해 1.35V와 1.5V의 동작전압을 지원하고 데이터 처리 속도는 최대 1.6Gbps(Gigabit per Second)로 높였으며 이 램으로 △서버용 32GB, 16GB 모듈 △ 워크스테이션, 데스크 탑 PC용 8GB 모듈 △노트북 PC용 8GB 모듈 등 기존 대비 용량이 두 배인 대용량 메모리 모듈 제품을 공급할 계획이라고 회사는 설명했다.

삼성전자는 지난해 7월 40나노급 2Gb DDR3 D램을 양산하면서 최대 16GB 용량까지 모듈 제품을 공급해 온 데 이어, 이번 4Gb DDR3 D램 양산으로 업계 최초로 최대 32GB 용량의 모듈을 공급할 수 있게 됐다.

또 40나노급 2Gb와 4Gb DDR3 D램을 동시에 양산해 4GB에서 32GB까지 업계 최대의 DDR3 D램 제품군을 확보하게 됐다.

삼성전자 반도체사업부 메모리전략마케팅팀장 전동수 부사장은 “삼성전자가 지난 해 7월부터 40나노급 2Gb DDR3 D램을 양산하면서 DDR3 시장을 지속적으로 확대시켜 나가고 있는 가운데, 불과 7개월 만에 용량이 두 배인 4Gb DDR3 D램을 양산하게 돼 프리미엄급 PC, 노트북, 서버 등 대용량 메모리를 원하는 고객들의 요구를 맞출 수 있게 됐다”며, “특히 이번에 양산하는 4Gb DDR3 D램은 대용량이면서 최저 소비전력을 구현함으로써 많은 양의 메모리를 탑재하는 서버 업체 뿐 아니라, 이제 PC에서도 소비자들이 만족할 수 있는 고성능·저전력 메모리 솔루션을 제공하게 되어 그 의의가 매우 크다”고 밝혔다.

삼성전자는 이번 4Gb DDR3 D램 양산과 함께 40나노급 DDR D램 비중을 적극적으로 확대해, 서버 및 PC 용으로 공급하는 D램 중 40나노급 제품의 비중을 상반기에 90% 이상까지 끌어올려 고객들에게 안정적인 공급 능력을 확보할 계획이다.

또한 향후에도 차별화된 기술로 D램 제품의 경쟁력을 높이고 30나노급 D램 등 차세대 제품을 선행 양산해 업계 최고의 기술 리더십 및 경쟁력 우위를 유지해 나갈 계획이다.