마이크로칩테크놀로지(북아시아 총괄 및 한국대표 한병돈)가 SiC 기술의 효율성과 전력 밀도 수요 증가에 발맞추어 700V MOSFET과 700V/1200V 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)로 고객 선택 범위를 넓힌다.

마이크로칩은 자회사인 마이크로세미(Microsemi)를 통해 검증된 견고성과 와이드 밴드갭 기술의 성능을 제공하는 실리콘 카바이드(SiC) 파워 디바이스 제품군을 출시했다고 17일 밝혔다.

마이크로칩의 폭넓은 마이크로컨트롤러(MCU)와 아날로그 솔루션과 더불어 이번 SiC 디바이스는 빠르게 성장하는 시장에서의 전기차(EV) 및 다른 고전력 애플리케이션에 요구되는 신뢰성 높은 SiC 제품군의 일부로 개발됐다.

마이크로칩의 기존 SiC 전력 모듈 포트폴리오에 새롭게 추가된 제품은 700V SiC MOSFET과 700V/1200V 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)이다.

지금까지 포트폴리오에 추가된 35개 이상의 디스크리트(discrete) 제품은 대량으로 구매가 가능하며, 포괄적인 개발 서비스와 툴, 그리고 레퍼런스 디자인 등을 통해 지원된다.

또한 엄격한 테스트를 통해 뛰어난 견고성을 제공한다. 마이크로칩은 현재 다양한 전압, 정격 전류, 패키지 타입에 걸쳐 광범위한 SiC 다이, 디스크리트, 파워 모듈 제품군을 제공하고 있다.

마이크로칩 디스크리트 및 전력 관리 사업부의 리치 사이몬식(Rich Simoncic) 수석 부사장은 “SiC 기술의 발전과 채택이 이미 가속화된 현재, 마이크로칩은 이 시장에서 오랜 역사를 갖고 있을 뿐 아니라 이들 제품에 대한 수요 증가에 지속적으로 부응하고자 글로벌 공급량 확보에 선도적 역할을 수행하는데 매진하고 있다”고 말했다.

또한 “마이크로칩은 고객이 개발 프로그램을 실행하고 확장하는 데 필요한 탄탄한 지원 인프라와 공급망을 바탕으로, 신뢰성 높은 제품들에 기반한 포트폴리오를 구축하고 있다”고 덧붙였다.