미국 정부가 반도체법에 따라 자국내 3억달러 이상 대규모 반도체 소재·장비기업 및 웨이퍼 제조시설 투자기업에 5~15%의 인센티브를 지원한다.

산업통상자원부는 美상무부가 美반도체과학법(이하 반도체법) 상의 인센티브 프로그램 중 대규모(3억 달러 이상) 소재·장비 제조시설 및 웨이퍼 제조시설 투자에 대한 재정 인센티브의 세부 지원계획을 지난 23일 공고했다고 밝혔다.

반도체법에 따라 상무부에서 운영하는 재정 인센티브는 반도체 제조시설, 반도체 소재·장비 제조시설, R&D 시설 투자에 대한 지원으로 구성되어 있다.

금번 공고는 지난 2월 28일에 발표한 반도체 제조시설 투자에 대한 세부 지원계획에 이어서 두 번째로 발표된 세부 지원계획이며, 소재·장비 소규모(3억 달러 미만) 제조시설 및 R&D 시설에 대한 지원기준은 추후 발표될 예정이다.

이번에 발표한 대규모 소재장비 제조시설 및 웨이퍼 제조시설에 대한 재정 인센티브의 세부 지원계획은 지난 2월 28일에 발표한 세부 지원계획과 동일한 지원 기준을 담고 있다. 이에 따라 보조금 수령 규모가 1.5억 달러 미만인 경우에는 초과이익 공유 및 보육프로그램 마련은 적용되지 않는다.

반도체법에 따른 재정 인센티브를 수령할 의향이 있는 소재·장비기업(웨이퍼 제조기업 포함)들은 9월1일부터 사전 신청, 10월 23일부터 본 신청을 거쳐 재정 인센티브 지원 여부 및 규모를 美정부와 협의하게 된다. 인센티브 수혜 기업은 투자액의 5~15%의 직접 지원을 받게 된다.

국내 업계는 소재·장비 및 웨이퍼 제조 분야 설비투자에 대한 보조금 지원제도에 대하여 구체적으로 검토해 나가겠다는 입장이다. 정부는 금번에 발표된 세부 지원계획이 업계에 미치는 구체적인 영향을 업계와 긴밀히 논의하여 미 정부와의 협의 등을 지원해 나갈 계획이다.