삼성전기 기술총괄 김창현 전무가 IEEE(국제전기전자공학회) FELLOW(석학회원)로 최근 선임됐다.

IEEE는 전기ㆍ전자ㆍ컴퓨터ㆍ통신 등의 분야에서 세계 최대 규모와 권위의 학회로 160여 개국 38만5,000명의 회원을 보유하고, 900여개의 산업 표준을 제정했다.

IEEE 회원 중 최상위 0.1% 내에 있는 회원에게 부여하는 최고 등급인 Fellow는 반도체, 전기, 전자 등 각 분야에서 10년 이상 경력자 학회원 중 탁월한 자질과 연구개발 업적으로 사회 발전에 기여한 사람을 대상으로 매년 선정된다.

김창현 전무는 반도체 분야의 저전력, 고성능, 고집적 메모리 개발 기술의 업적으로 IEEE 회원의 최고 등급인 펠로우 자격을 받았다. 김 전무의 펠로우 자격은 지난 1일부터 종신 유지 된다.

김창현 전무는 세계최초 1GHz 동작의 RDRAM 개발로 초고속 DRAM 시대를 개척했고, DDR2/DDR3 제품 선행 개발로 고성능 제품 구현 및 JEDEC(국제 반도체공학 표준 협의기구)표준화를 선도한 인물로 유명하다. 또한 3D Cell 및 Chip Stack 신기술 개발로 고집적 기술 확보 및 메모리 반도체 한계를 극복하는데 크게 기여했다.

한편, 김창현 전무는, 삼성의 기술을 대표하는 S(Super)급 핵심 기술인력에게 부여하는 최고의 명예인 삼성 FELLOW에 2004년 선정된 바 있다.

김창현 전무는 '82년 서울대 전자공학부를 졸업하고 95년 미국 미시건대 학술연수를 통해 박사학위를 취득했고, (삼성전자를 거쳐) 현재 삼성전기 기술총괄 및 연구소장으로 역임하고 있다.