“이제 국내 반도체용 소재 시장에도 에어리퀴드가 가지고 있는 능력을 알리겠습니다.”

지난 26일부터 28일까지 서울 코엑스에서 개최된 ‘세미콘 코리아 2011’ 전시장에서 만난 에어리퀴드코리아 송상우 상무이사(사진)는 반도체 및 디스플레이 공정용 소재 시장에 대한 강한 의지를 드러냈다.

세계 산업가스 시장 수위기업인 에어리퀴드는 반도체용 소재시장에서도 상당한 위치를 점하고 있지만 유독 국내 시장에서는 산소(O₂), 질소(N₂) 등 일반 산업가스에만 사업영역이 국한돼 있다는 인식이 강한 것이 사실이다.

회사는 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 및 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 공정용 소재와 전구물질을 아우르는 새로운 제품 라인업으로 이번 전시회에 나섰다.

일본 및 대만에서는 이미 좋은 반응을 얻고 있는 ‘ALOHA™’ 브랜드로 국내 반도체 공정용 시장 공략에 나선 회사는 국내에 해당 제품의 생산시설 구축 방침을 세우고 현재 세부계획을 손질하는 중이다.

다음은 에어리퀴드코리아 전자사업부를 이끌고 있는 송상우 상무이사와의 일문일답이다.

▶이번에 출품한 제품과 기술 등에 대한 소개를 부탁한다.

이번에 상당히 여러 상품을 출품했지만 그중에서도 특별히 신경쓴 것은 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD) 프로세스 용 소재들이다.

이번에 전시한 ‘ALOHA’는 ALD 및 화학기상증착(Chemical Vapor Depositon, CVD) 전구체 및 소재 솔루션 라인업을 일컫는 브랜드다.

하이-K(고 유전상수 유전체), 기판공정(FEOL) 및 배선공정(BEOL)용 금속, BEOL 용 유전체 등에 사용되는 70여종의 전구체 포트폴리오를 구성하고 있다.

총 12년에 걸친 연구 끝에 개발된 제품들로 현재 미국과 대만 등지에서 사용하고 있지만 그간 세계 최고의 메모리반도체 메이커인 한국 시장 진출에 고전해 왔다.

올해 국내에 관련 생산거점을 마련하고 국내 시장에서의 인지도를 끌어올리는 등 국내 반도체 제조 공정용 재료 시장에서 ALOHA의 마케팅을 강화해 나갈 생각이다.

▶‘세미콘 코리아 2011’ 참가 배경을 설명해 달라

세미콘 참가는 지난 2008년에 이어 이번이 2번째이다.

국내 최대 규모의 반도체 관련 전시회임을 생각하면 참가회수가 적었다고 볼 수 있다.

에어리퀴드 전체로서는 상당기간 동안 반도체 제조 공정용 재료부문에서 일본과 대만시장에 집중해왔고 이에 비해 한국시장에 대한 관심은 상대적으로 적었던 것이 사실이다.

그러나 지금은 이런 부분이 한국 시장에서의 상대적 부진과 인지도 부족에 적지 않은 영향을 끼쳤던 것으로 보고 ALOHA를 시작으로 국내 시장에 대한 홍보에 한층 더 신경을 쓸 생각이다.

이번 전시회를 계기로 회사가 보유하고 있는 반도체 공정용 제품의 우수성과 회사가 가지고 있는 능력을 뚜렷히 각인시켜 나간다는 방침이다.

▶에어리퀴드코리아 내 전자사업부에 대해 설명해 달라

그동안 국내 시장에서 일반가스에 집중해 왔기 때문에 전자사업부는 아직 영업과 관리파트를 합쳐 30명 수준의 소규모 인력으로 구성돼 있다.

그러나 앞서 말했듯이 올해 전자소재용 제품 생산시설을 국내에 마련하기 위한 투자가 계획 중이고 관련 마케팅 분야도 강화한다는 방침인 만큼 인력 및 조직의 확충이 불가결하다.

ALOHA 관련 국내 생산시설의 투자계획은 2분기에나 승인이 날 예정이어서 상세한 내용을 밝히기 어려운 상황이지만 전자사업부가 곧 2배 규모로 확대될 예정이라는 것은 확실하다.

※원자층 증착(atomic layer deposition, ALD)이란?

반도체 제조 공정 중 화학적으로 달라붙는 단원자층의 현상을 이용한 나노 박막 증착 기술.

소자 회로 선폭의 미세화로 기존 웨이퍼 박막증착 공정의 주류를 이뤄온 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition, PVD)과 화학기상증착(Chemical Vapor Depositon, CVD)이 100nm 이하의 초고집적 회로형성에 적용하기 어렵게 되면서 대두됐다.

기존 증착 기술과 달리 박막 형성에 필요한 원소를 한번에 한가지씩 증착시켜 원자층을 한 층씩 쌓아 박막을 성장시키는 새로운 개념의 기술로 웨이퍼 표면에서 분자의 흡착과 치환을 번갈아 진행함으로 원자층 두께의 초미세 층간(layer-by-layer) 증착이 가능하고, 산화물과 금속 박막을 최대한 얇게 쌓을 수 있으며, 가스의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착시키는 CVD보다 낮은 온도(500℃ 이하)에서 막질을 형성할 수 있어 시스템온칩(SoC) 제조에 적합하다.

1990년대 중반부터 ALD 기술을 바탕으로 국내 기업들이 반도체 미세공정에 ALD 기술을 이용하고 있으며 이 분야에서는 우리나라가 선도적인 위치를 점하고 있다.