▲ ▲GaN 고출력 MMIC 칩. ▲GaN 고출력 MMIC 칩

무선통신 송신 전파의 출력을 증폭하는 반도체 핵심부품의 국산화 기반이 마련됐다.

ETRI(한국전자통신연구원, 원장 김흥남)는 무선통신 핵심부품인 ‘질화갈륨(GaN) 기반 고출력 증폭기 MMIC 칩’을 국내 최초로 개발했다고 30일 밝혔다.

질화갈륨 전력증폭기 기술은 무선통신시스템, 위성통신시스템 및 첨단 레이더 등에서 전파를 송신하는 출력단을 구현하는데 활용되는 차세대 핵심부품 기술로 기존 진행파관(Traveling Wave Tube) 방식의 전력증폭기 기술 대비 저비용, 고신뢰성, 긴수명, 소형 경량화의 장점을 가지고 있다. 특히 고출력 및 고효율이 요구되는 마이크로파대 고주파 부품 분야에 활용도가 높을 것으로 전망된다.

또한 갈륨비소(GaAs) 기반 전력증폭기에 비해 높은 전력효율을 가지고 있는 혁신 기술로 현재 전 세계적으로 극소수의 업체만이 개발에 성공한 첨단 기술이다. 기존 갈륨비소 기반의 MMIC 칩이 통상 20% 이상의 출력 효율을 갖는 반면, 개발된 질화갈륨 기반 칩의 경우 출력 효율이 30% 이상에 달한다. 이에 기존 고출력 증폭기 MMIC가 가지고 있던 전력 전달 효율이 낮아 에너지 낭비가 큰 단점을 극복하게 됐다.

안도섭 ETRI 위성무선융합연구부 부장은 “순수 국내 연구진에 의한 이번 기술 개발로 해외 전량 수입에 의존하는 무선통신용 핵심부품의 국산화와 해외 공략에 박차를 가할 것”이라고 말했다.