▲ ST마이크로일렉트로닉스가 SiC 전력 MOSFET SCT20N120 을 출시했다..

ST가 안정적인 턴오프 에너지와 게이트 전하로 전력 소비에 민감한 장비와 다양한 애플리케이션에 적합한 MOSFET을 출시했다.

ST마이크로일렉트로닉스가 SiC(SiC, Silicon Carbide, 탄화규소) 전력 MOSFET SCT20N12을 출시했다고 9일 밝혔다.

이번 신제품은전기/하이브리드 자동차, 태양이나 풍력 발전, 고효율 드라이브, 전원공급, 스마트그리드 장비 등의 인버터와 같이 전력 소비에 민감한 애플리케이션을 더욱 폭넓게 아우르며 효율성과 신뢰성을 제공한다.

이번 1200V SCT20N120은 최대 동작 접합온도가 200°C에 이를 때까지 290mΩ 이상의 온저항(RDS(ON))을 유지하는 제품으로 안정적인 턴오프 에너지(Eoff)와 게이트전하(Qg) 덕분에 제품군의 스위칭 성능도 해당 온도 범위에서 안정적으로 나타난다.

따라서 전도 및 스위칭 손실이 낮고 극도로 낮은 누설 전류와 결합해 열 관리를 간소화 할 있으며 안정성도 극대화 한다.

ST의 실리콘 카바이드 MOSFET은 에너지 손실이 적고, 비슷한 속도의 실리콘 IGBT보다 최대 세 배나 높은 스위칭 주파수 구현이 가능하다.

또한 외부 부품을 더 작게 지정하고 크기와 무게, 제조비용을 줄일 수 있으며 고온내구성도 탁월해 전기 자동차용 파워 모듈과 같은 애플리케이션의 냉각 시스템 설계를 간소화할 수 있다.

SCT20N120은 ST의 독점적인 HiP247™ 패키지의 열 효율성이 더해져 최대 200°C까지 안정적으로 작동할 수 있는 동시에 산업표준 TO-247 파워 패키지 아웃라인과 호환성을 유지한다.

한편, SCT20N120은 현재 양산중이며 가격은 1,000개 주문 시 8달러 50센트부터이다.