하이닉스반도체(대표 권오철)와 미국 휴렛팩커드(HP)가 차세대 메모리 제품인 ‘Re램’ 상용화를 위한 공동개발에 나선다.

Re램(Resistive Random Access Memory, 저항변화 메모리)은 현재 스마트폰, 휴대형 PC 등의 저장장치로 사용되는 낸드플래시의 한계를 속도와 용량 모두에서 극복할 수 있는 차세대 메모리로 평가받고 있다는 점에서 양사가 낸드플래시 이후의 신시장을 선점하려는 포석으로 풀이된다.

지난 1일 회사에 따르면 Re램 공동개발 계약을 맺은 양사는 Re램 구현 방법 중 하나인 HP의 멤리스터 기술력과 하이닉스의 메모리 반도체 기술경쟁력을 기반으로 하이닉스 R&D 팹에서 상용화를 위한 공동개발을 진행하게 된다.

이에 따라 하이닉스는 Re램에 대한 상용화 기술력을 확보하게 되고, HP는 상용화된 Re램을 우선적으로 공급받을 수 있게 된다.

메모리(Memory)와 저항(Resistor)의 합성어인 멤리스터(Memristor) 기술은 HP가 지난 2008년 자체 개발한 Re램 구현 기술.

전류가 흐르는 방향과 양에 따라 저항이 변화되며, 전원이 공급되지 않는 상태에서도 직전의 저항 상태를 기억할 수 있는 비휘발성 특징을 갖고 있다.

이 기술을 적용한 Re램은 저항을 이용하는 간단한 구조를 갖춰 현재의 낸드플래시보다 쓰기 속도가 100배 이상 빠르고, 공정 미세화에 따른 한계를 해결할 수 있어 보다 많은 정보를 저장할 수 있다는 것이 하이닉스 측의 설명이다.

또한 구동에 필요한 전력소요도 적어 모바일 시대에 적합한 고속동작·대용량·저전력 메모리로 기대되고 있다

스탠 윌리암스(Stan Williams) HP 연구소장은 “이번 공동개발을 통해 HP의 혁신적인 기술이 선두 메모리 회사인 하이닉스를 통해 세계 시장에 대량으로 공급될 수 있을 것으로 기대된다”고 말했다.

또 하이닉스 CTO 박성욱 부사장은 “기존에 개발중인 P램, STT-M램과 더불어 HP와의 Re램 공동개발로 차세대 메모리 분야에서도 경쟁력을 더욱 강화할 것”이라며 “향후 시장변화와 고객요구에 능동적으로 대응해 미래지향적 사업 역량을 지속적으로 확충할 것”이라고 밝혔다.