반도체 TFT-LCD 공정에 사용되며 외과용 마취가스로도 사용되는 아산화질소(N2O)가 지구 오존층을 파괴하는 최대 요인이라며 미국 정부기관이 경고하고 나섰다.

미 해양대기국(NOAA) 소속 연구원은 유력 과학저널 사이언스 인터넷판을 통해 이 같은 내용을 담은 논문을 발표했다.

논문에 따르면 아산화질소의 오존층 파괴력은 프레온가스의 대표격인 염화불화탄소(CFC)의 1/60에 불과하지만 대기중에 잔류 기간이 100년 정도로 매우 길고, 인위적인 배출량이 줄어들 전망도 없어 장기적으로 오존층과 지구 환경에 큰 악영향을 미치게 된다.

더구나 프레온가스가 몬트리올 의정서에 의한 국제 규제의 영향으로 배출량이 크게 줄어들고 있는 상황이어서 금세기 전체를 놓고 보면 아산화질소가 프레온가스 이상으로 오존층을 파괴한다고 논문은 결론을 맺고 있다.

아산화질소는 반도체 공정, 의료용 외에도 각종 공산품 제조과정에서 배기가스 등에서도 검출되며 특히 농업용 질소비료가 토양중의 미생물에 의해 분해되는 과정에서 생성되지만 천연상태로도 존재해 몬트리올 의정서 대상에서는 제외돼 있다.

그러나 온실효과면에서 이산화탄소의 310배에 달하는 영향을 끼치는 것으로 밝혀져 교토의정서에서는 규제 대상으로 다루고 있다.

반도체 공정 등 다방면에서 활용돼 온 아산화질소가 기존의 온실효과에 이어 오존층 파괴에까지 악영향을 끼친다는 지적이 거듭 제기되면서 아산화질소 대체 물질 혹은 대체 기술에 대한 관심이 높아지고 있다.