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SiC링 ‘소재·물성’ 특허 무효, ‘제조 방법’ 유효 - 티씨케이, “제조 방법 특허 회피 쉽지 않을 것” - 디에스테크노, “독점시장 균열, 후발주자 진입”
  • 기사등록 2023-03-23 16:50:59
  • 수정 2023-03-23 17:04:27
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▲ 디에스테크노가 ‘세미콘코리아 2023’에 출품한 SiC링(사진 上)


티씨케이가 디에스테크노를 상대로 제기한 3D 낸드플래시 제조공정 핵심 부품 SiC(실리콘카바이드)링의 특허침해소송 최종심 결과 ‘소재·물성’ 특허는 무효하고 ‘제조 방법’은 유효하다는 판결이 나왔다. 이로 인해 티씨케이가 독점하고 있던 SiC링 시장에 경쟁사들이 진입할 여지가 마련됐고 이를 막기 위한 특허분쟁이 지속될 전망이다.


업계에 따르면 16일 대법원 최종심결에서 티씨케이와 디에스테크노가 제기한 상고에 대해 모두 기각 판결을 내렸다. 2심과 같이 SiC링 소재·물성에 관한 부분은 디에스테크노, 제조 방법에 관한 특허는 티씨케이 손을 들어준 것이다. 이로써 티씨케이가 지난 2019년 11월 디에스테크노를 상대로 SiC링 관련 특허침해 소송을 제기하면서 시작된 특허소송은 우선 일단락됐다.


SiC링은 반도체 제조공정에서 웨이퍼를 고정시켜 주는 역할을 담당하는 소모성 부품이다. 기존에 사용되던 쿼츠나 실리콘 소재보다 내성이 강하기 때문에 식각챔버 내에 SiC링 등이 주로 탑재되고 있는데 특히 3D 낸드플래시 생산공정에 필수 부품으로 자리매김했다. 티씨케이는 여러 개의 노즐에서 SiC 원료 가스를 분사해 여러 겹의 막을 적층하는 제조 방법 특허를 기반으로 SiC링 시장에서 80% 이상의 점유율을 차지하며 사실상 시장을 독점해왔다.


그런데 디에스테크노 등 일부 업체들이 SiC링 시장에 진입하면서 2019년 티씨케이는 특허소송을 제기했다. 티씨케이가 소송을 건 특허는 △SiC링 소재 물성과 관련된 특허(제1866869호) △투과도가 다른 복수의 층을 갖는 SiC 반도체 제조 부품 및 제조 방법에 관한 특허(제1914289호) △제조방법 관련 특허 (제2208252호) 등이다.


이번 판결에 대해 티씨케이 측은 언론보도를 통해 자사의 다수 노즐을 활용한 제조 방법 특허가 유효하기 때문에 경쟁사들이 제조 방법을 확보하기 쉽지 않을 것이며 시장 지배력을 지속 유지하는데 유리한 환경이 마련됐다고 밝혔다.


디에스테크노 측은 소재·물성 특허가 인정을 못 받아 독점 구조가 무너져 시장 진입 장벽이 낮아졌고 제조 방법의 경우 목적이 다르기 때문에 특허 회피에 용이할 것이라고 강조했다.


이번 판결에 주목하고 있던 케이앤제이, 하나머티리얼즈 등 후발업체들은 SiC링 사업에 적극적으로 진출할 것으로 예상되고 있다. 이에 대해 티씨케이는 특허를 침해한 경쟁사를 상대로는 단호한 법적 조치를 취해 나가겠다는 입장이어서 또 다른 특허분쟁이 지속될 전망이다.


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