▲ 세계 300mm 팹 장비 투자액 및 변화율

향후 3년간 글로벌 300mm 팹 장비 투자액이 3,740억 달러에 이를 전망된다. 인공지능(AI) 칩 수요 급증과 주요 지역의 팹 자급화 확대가 투자 성장을 견인하며, 세부 부문과 지역별 투자도 고르게 증가할 것으로 예상된다.

글로벌 전자산업을 대표하는 산업 협회 SEMI는 최신 300mm 팹 전망 보고서를 23일 발표했다. 보고서에 따르면 올해 글로벌 300mm 팹 장비 투자는 사상 처음으로 1,000억 달러를 돌파해 1,070억 달러에 달하며, 이는 전년대비 7% 증가한 수치다.

2026년에는 9% 증가한 1,160억 달러, 2027년에는 4% 증가한 1,200억 달러, 2028년에는 15% 증가한 1,380억 달러로 각각 성장하며 3년간 총 3,740억 달러에 달할 전망이다.

이 같은 투자 확대는 데이터센터와 엣지 디바이스용 AI 칩 수요가 급증하고, 주요 지역에서 팹 지역화가 빠르게 진행되는 데 따른 것이다. 각국은 반도체 자급자족과 공급망 재편을 통해 산업 생태계 현지화에 한층 더 집중하고 있음을 보여준다.

세부 부문별로 보면, 로직 반도체는 2026~2028년 1,750억 달러 규모의 투자가 진행될 것으로 보인다. 파운드리 기업이 2nm 이하 첨단 공정 증설을 주도하며, 게이트 올 어라운드(GAA) 아키텍처와 백사이드 파워 딜리버리 기술이 핵심 역할을 한다.

이러한 기술들은 고성능·고효율 AI 연산을 위한 필수 인프라로, 1.4nm 공정은 2028~2029년 양산 단계에 들어갈 전망이며, AI 성능 향상은 자동차 전자, IoT, 로보틱스 등 엣지 디바이스의 폭발적 수요로 이어질 것으로 분석된다. 성숙공정(mature node) 장비 투자도 다양한 노드와 전자기기 수요 확대에 따라 크게 증가할 것으로 예상된다.

메모리 부문은 2026~2028년 총 1,360억 달러의 투자가 예상되며, 전체 투자에서 두 번째로 큰 비중을 차지할 전망이다. 이는 메모리 산업이 새로운 성장 사이클에 진입했음을 의미한다. 세부적으로 보면 D램에는 790억 달러, 3D 낸드에는 560억 달러가 각각 투자될 것으로 보인다.

특히 AI 학습에는 고속 데이터 전송과 낮은 지연시간이 필수적이어서 HBM 수요가 급증하고, AI 추론 과정에서 필요한 대규모 저장공간은 3D 낸드 플래시 시장의 성장을 견인할 것으로 분석된다.

아날로그 반도체는 향후 3년간 410억 달러를 넘어설 것으로 보이며, 컴파운드 반도체를 포함한 전력반도체는 270억 달러 수준의 투자가 이루어질 전망이다.

지역별로는 중국이 940억 달러 투자로 1위를 유지하며 자체 반도체 생태계 강화에 주력할 전망이다. 한국은 860억 달러로 2위를 기록하며 글로벌 생성형 AI 수요 대응 핵심 거점으로서 역할을 지속할 것으로 보인다.

대만은 750억 달러 투자로 첨단 파운드리 기술 역량과 생산 능력 우위를 유지할 전망이며, 미국은 600억 달러 투자로 AI 응용 수요 대응과 산업 고도화를 위한 투자를 이어간다. 일본, 유럽·중동, 동남아시아는 각각 320억 달러, 140억 달러, 120억 달러가 투자될 것으로 예상된다.

2026년부터 2028년까지 이들 지역의 투자는 정부 인센티브 정책 덕분에 2024년 대비 60% 이상 증가할 전망이다.

SEMI의 CEO 아짓 마노차는 “반도체 산업은 AI 기술 수요 폭증과 주요 지역의 자체 제조 역량 강화라는 두 흐름 속에서 중대한 전환점을 맞이하고 있다”며 “300mm 팹에 대한 지속적 투자가 데이터센터, 엣지 디바이스, 디지털 경제 전반의 발전을 가속화할 것”이라고 설명했다.