전자

산업부, 디지털혁신기업 투자펀드 5년간 4천억 조성 정부가 인공지능(AI), 사물인터넷(IoT), 클라우드(Cloud), 빅데이터(Big Data), 모바일(Mobile) 등 AICBM 기술을 접목해 혁신을 추진하는 기업을 발굴해 투자한다. 산업통상자원부(장관 성윤모)는 AICBM 등으로 공정·제품·서비스 혁신을 추진하는 디지털혁신기업에 투자하는 ‘디지털산업혁신펀드 1호’를 1,020억원 규모로 결성하고 본격적인 투자를 개시한다고 밝혔다. 이에 산업부, 펀드운용사(L&S 벤처캐피탈, 산은캐피탈) 및 출자자(한국산업기술진흥원, 한국성장금융투자운용) 등은 22일 ‘디지털산업혁신펀드 1호 결성식’을 개최하고 향후 펀드 투자 및 운용방안을 논의했다. 이번 펀드는 당초 결성 목표금액인 800억원보다 220억원을 초과하여 결성됐으며, 국내 최초로 디지털산업혁신을 선제적·전략적으로 지원하기 위해 공공기관과 민간투자기관이 공동으로 참여했다. 향후, 운용사는 AICBM 기술을 접목하여 생산공정 및 제품·서비스 혁신을 추진하는 디지털산업혁신 기업을 적극 발굴하고, 펀드 총액의 60% 이상을 투자할 예정이다. 또한 기술금융 우수기업에 투자집행금액의 80% 이상을 투자한다. 산업부는 이번을 시작으로 우리 산업의 디지털전환 촉진을 위해 2024년까지 총 4,000억원 규모의 디지털산업혁신펀드를 조성할 계획이다. 올해도 총 800억원 규모의 디지털산업혁신펀드 2호 조성을 추진할 예정이며, 상반기 중 운용사 선정계획을 공고하고 본격적인 조성 절차를 진행할 계획이다. 이날 행사에 참석한 산업부 김상모 산업기술융합정책관은 “디지털 산업생태계 전환 및 글로벌 밸류체인(GVC) 재편 속에서 우리 기업의 생존과 부가가치 창출을 위해 디지털산업혁신은 필수요건이 되었다”며 “우리 산업계가 디지털 전환시대의 위기를 극복하고 글로벌 경쟁력을 확보할 수 있도록 디지털혁신기업 발굴 및 금융지원 등을 지속적으로 확대해 나가겠다”고 밝혔다. 신근순 기자 2021-03-22
비츠로셀, 당진 리튬 2차전지 공장 197억 투자 리튬전지 전문기업 비츠로셀이 리튬 2차전지 생산설비 구축을 위해 197억원을 투자한다. 비츠로셀은 17일 충남도청 회의실에서 당진시와 197억원 규모의 투자협약(MOU)을 체결했다고 밝혔다. 비츠로셀은 기존 통합공장이 위치한 합덕인더스파크 산업단지에 1만7334㎡ 규모의 리튬 2차전지 생산 거점을 추가 건립할 계획이다. 이를 통해 약 100명의 신규 고용 창출 효과가 기대되고 있다. 이곳에서는 리튬 2차전지를 비롯해 초박형 필름 전지(1차·2차전지), 차세대 리튬 2차전지 소재 등 다양한 신제품을 개발, 생산할 계획이다. 비츠로셀 관계자는 “코로나19로 인한 경제 위기 속에서도 회사의 지속 성장과 제2의 도약을 위해 투자를 결정했고, 상당수의 인력을 시 관내에서 채용할 것인 만큼 지역경제 활성화에도 이바지할 것으로 기대한다”고 밝혔다. 한편 비츠로셀은 1987년 설립된 리튬 1차전지 전문 기업으로 스마트 미터기, 군 통신 장비, 전자기기 및 위치 추적 장치 전원용 리튬전지, 유도무기, 포탄 등 군수용 열전지 및 앰플전지, 석유 시추 등에 사용되는 고온전지, EDLC(슈퍼 캐패시터) 등을 생산하고 있다. 또한 미래 성장동력 확보를 위해 고온전지 팩, eCall 등 차량용 특수전지, 초박형전지 등에도 활발히 투자하고 있다. 신근순 기자 2021-03-19
나노종기원, 12인치 반도체 테스트베드 본격 서비스 신근순 기자 2021-03-18
UnitedSiC, 최적 SiC FET 온라인 설계 솔루션 출시 전기차, 신재생에너지 등 확대로 SiC(실리콘카바이드) 전력반도체 수요가 늘고 있는 가운데 개발자가 신속하고 정확하게 전원설계를 할 수 있도록 지원하는 솔루션이 나왔다.SiC 전력반도체 분야 선도기업인 UnitedSiC(유나이티드실리콘카바이드)는 다양한 전력 애플리케이션 및 토폴로지의 성능 비교를 온라인에서 손쉽게 이용할 수 있는 FET-Jet Calculator를 출시했다고 18일 밝혔다. 전력 설계를 위한 최적의 UnitedSiC FET를 확인하기 위해 사용자가 애플리케이션 기능 및 토폴로지를 선택하고 설계 파라미터 세부 정보를 입력하면, FET-Jet Calculator는 전도, 턴온 및 턴오프 기여도로 분류되는 스위치 전류, 효율성 및 손실을 자동으로 계산한다. 동작 온도 및 히트 싱크 등급을 입력하면 예상 동작 접합 온도를 나타낸다. 사용자는 스토리지 인덕터 및 스위칭 주파수 값들을 다르게 적용하여 다양한 토폴로지의 전도 모드 변화 영향을 확인할 수 있다. 또한, 단일 또는 병렬 장치의 선택에 따라 다양한 전류 정격을 가진 장치의 전반적인 성능을 상대적으로 보여줄 수 있다. 이 도구는 정격 전압이 선택한 토폴로지와 조건들에 적합하지 않은 경우에 조언을 제공하고, 사용자가 실행 가능한 솔루션에 빠르게 도달할 수 있도록 도와준다. 모든 UnitedSiC FET 및 쇼트키(Schottky) 다이오드(TO-220, TO-247, TO-247/4L, DFN8x8 패키지 및 최근에 출시된 Gen 4 750V SiCFET를 포함)는 정렬 가능한 테이블에서 선택할 수 있다. UnitedSiC의 아눕 발라(Anup Bhalla) 부사장은 “FET-Jet Calculator는 SiC를 처음 고려하는 개발자 또는 진화하는 설계에 맞는 최적의 SiC를 찾는 개발자에게 다양한 전력 토폴로지에서 UnitedSiC FET를 빠르고 쉽게 평가할 수 있는 방법”이라며 “또한, 부적합한 장치에 고급 수준의 시뮬레이션을 진행하는 데 낭비되는 시간을 방지하게 함으로써 개발 속도를 높일 수 있다”라고 말했다. UnitedSiC FET-Jet Calculator은 등록 없이 자유롭게 사용할 수 있으며, 홈페이지(info.unitedsic.com/fet-jet)에서 확인할 수 있다. 신근순 기자 2021-03-18
삼성전자, “반도체 차세대 기술 리더십 강화” 엄태준 기자 2021-03-17
2월 ICT 수출 전년比 11.5%↑…9개월 증가 신근순 기자 2021-03-16
롤스로이스, AI 기반 항공 엔진 검사 솔루션 공개 신근순 기자 2021-03-16
신임 디스플레이협회 회장에 정호영 LG디스플레이 사장 신근순 기자 2021-03-16
표준연-KIST, 양자 소재·소자 개발 맞손 신근순 기자 2021-03-12
미래차 반도체 R&D 내년까지 2천억 투입 신근순 기자 2021-03-10
삼성전자, 고성능 NVMe SSD 980 출시 배종인 기자 2021-03-10
반도체·디스플레이 탄소중립 ‘초격차’ 엄태준 기자 2021-03-09
SK하이닉스, 18GB LPDDR5 모바일 D램 양산 엄태준 기자 2021-03-09
전기硏, SiC 소재 결함 분석·평가기술 개발 배종인 기자 2021-03-08
삼성전자, 정기주총 전자투표시스템 오픈 배종인 기자 2021-03-08

처음 이전 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 다음 맨끝

　많이 본 뉴스

나노코리아 2025(260 픽셀)

신소재경제신문
등록번호서울특별시 다09721
등록일2009-07-01
발행일자2025-06-18
발행인고봉길
편집인고봉길
청소년보호책임자고봉길
연락처02-2055-1632
이메일webmaster@amenews.kr
주소서울특별시 관악구 보라매5가길7 캐릭터그린빌 309호

신소재경제신문 © amenews.kr All rights reserved.
신소재경제신문의 모든 콘텐츠(기사 등)는 저작권법의 보호를 받은바, 무단 전재, 복사, 배포 등을 금합니다.

다다미디어 홈

모바일 버전 바로가기