▲ ▲삼성전자 종합기술원이 ‘꿈의 신소재’인 그래핀을 활용해 새로운 트랜지스터 구조를 개발했다.. ▲삼성전자 종합기술원이 ‘꿈의 신소재’인 그래핀을 활용해 새로운 트랜지스터 구조를 개발했다.

삼성전자가 세계 최강 반도체 제조사의 위상을 더욱 공고히 할 기술을 개발했다.

삼성전자는 자사의 종합기술원이 ‘꿈의 신소재’인 그래핀을 활용해 새로운 트랜지스터 구조를 개발했다고 18일 발표했다.

이번에 발표된 기술은 기존 실리콘의 한계를 극복하고 미래 트랜지스터 개발 가능성을 한단계 높인 것으로 평가되고 있으며 세계적 권위의 학술지인 사이언스誌 온라인판에 미국 현지 시간인 17일자로 게재됐다.

반도체에는 실리콘(Si) 소재의 트랜지스터가 수십억 개씩 들어 있으며 반도체 성능을 높이려면 트랜지스터의 크기를 줄여 전자의 이동 거리를 좁히거나 전자의 이동도가 더 높은 소재를 사용해 전자의 이동속도를 높여야 한다.

이러한 상황에서 높은 전자 이동도를 갖고 있는 그래핀(실리콘의 140배)은 실리콘을 대체할 물질로 각광받아 왔다. 그러나 그래핀은 금속성을 지니고 있어 전류를 차단할 수 없다는 점이 문제점으로 지적돼 왔고 이를 극복하기 위한 연구가 전 세계적으로 진행돼 왔다.

트랜지스터에서는 전류의 흐름과 차단으로 디지털 신호인 ‘0’과 ‘1’을 나타내므로 그래핀으로 실리콘을 대체하기 위해서는 반도체화 하는 과정이 필수다. 그러나 이 과정에서 그래핀의 이동도가 급감하므로 그래핀 트랜지스터에 대한 회의적인 시각이 많았다.

이번에 삼성전자 종합기술원은 새로운 동작원리를 적용해 그래핀 자체를 변화시키지 않으면서 전류를 차단할 수 있는 소자 개발에 성공했다.

바로 그래핀과 실리콘을 접합해 쇼키 장벽(Schottky Barrier)을 만들고 이 장벽의 높이를 조절하는 방법으로 전류를 켜고 끌 수 있게 한 것이다.

쇼키장벽은 독일 물리학자인 쇼키가 발견한 금속과 반도체가 만나는 접합에서 생기는 에너지 장벽으로 전하가 금속에서 실리콘으로 흐르는 것을 방해하는 역할을 한다. 일반적인 금속-반도체 접합의 경우 일함수(Work Function, 물질에서 전자 하나를 빼내는 데 필요한 최소 에너지)와 쇼키 장벽의 높이가 고정되지만 그래핀의 경우 일함수 조절을 통해 쇼키 장벽을 조절할 수 있다.

이렇게 장벽(Barrier)를 직접 조절한다는 의미에서 삼성전자는 새로운 소자를 ‘배리스터(Barristor)’로 명명했다. 

이와 함께 삼성전자는 디지털 신호인 ‘0’ 또는 ‘1’ 을 상호 변환하는 가장 기본적인 회로인 인버터 등을 제작해 기본 연산(덧셈)을 구현했다.

이번 논문을 통해 삼성전자는 그래핀 소자 연구의 최대 난제를 해결함으로써 추후 연구에 새로운 방향을 제시했고 관련 분야를 선도할 수 있는 기반을 구축한 것으로 평가되고 있다.

현재 삼성전자 기술원은 그래핀 트랜지스터의 동작방식과 구조와 관련한 핵심 특허 9건을 확보하고 있다.